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IXGT10N170A IXYS

Name: IXGT10N170A
Brand: IXYS
SKU: 155820-4
Price: 17.34 EUR
Availability: InStock

Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_10N170A_Datasheet.PDF

Hersteller: IXYS
IGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds

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Technische Details IXGT10N170A IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268, Collector current: 5A, Case: TO268, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 20A, Power dissipation: 140W, Gate charge: 29nC, Technology: NPT, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 107ns, Kind of package: tube, Turn-off time: 240ns, Mounting: SMD, Collector-emitter voltage: 1.7kV.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IXGT10N170A	IXYS	Description: IGBT 1700V 10A 140W TO268	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IXGT10N170A	IXYS	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268 Collector current: 5A Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Power dissipation: 140W Gate charge: 29nC Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 107ns Kind of package: tube Turn-off time: 240ns Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 1.7kV	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXGT10N170A

Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 10A 140W TO268

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IXGT10N170A

Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 240ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV

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