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IXGT16N170

IXGT16N170 Littelfuse


littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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Technische Details IXGT16N170 Littelfuse

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 16A, Pulsed collector current: 80A, Turn-on time: 90ns, Turn-off time: 1.6µs, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 190W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 78nC, Technology: NPT, Mounting: SMD, Case: TO268, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXGT16N170 IXGT16N170 Hersteller : IXYS IXGH16N170-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGT16N170 IXGT16N170 Hersteller : IXYS DS98996C(IXGH-IXGT16N170).pdf Description: IGBT 1700V 32A 190W TO268
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IXGT16N170 IXGT16N170 Hersteller : IXYS ixys_s_a0008595176_1-2272819.pdf IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
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IXGT16N170 IXGT16N170 Hersteller : IXYS IXGH16N170-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
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