IXGT24N170 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: NPT
Case: TO268
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 105ns
Gate charge: 106nC
Turn-off time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXGT24N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Pulsed collector current: 150A, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Technology: NPT, Case: TO268, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Mounting: SMD, Turn-on time: 105ns, Gate charge: 106nC, Turn-off time: 560ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 150A Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: NPT Case: TO268 Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: SMD Turn-on time: 105ns Gate charge: 106nC Turn-off time: 560ns |
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