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IXGT25N160

IXGT25N160 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IGBT NPT 1600V 75A TO-268AA
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 84 nC
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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Technische Details IXGT25N160 IXYS

Description: IGBT NPT 1600V 75A TO-268AA, Power - Max: 300 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Gate Charge: 84 nC, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-268AA, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXGT25N160 IXGT25N160 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf IGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
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IXGT25N160 IXGT25N160 IXYS IXGH(T)25N160.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 283ns
Turn-off time: 526ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXGT25N160 Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
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IXGT25N160
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 283ns
Turn-off time: 526ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXGT25N160 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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