IXKK85N60C IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 85A TO264A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 91 EUR |
| 25+ | 73.39 EUR |
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Technische Details IXKK85N60C IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 85A TO264A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| IXKK85N60C |
CoolMOS Power MOSFET N-CH 600V 85A 0.036 Ohm TO-264 Транзистори |
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IXKK85N60C | IXYS |
MOSFETs 85 Amps 600V 36 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXKK85N60C | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264 Drain-source voltage: 600V Drain current: 85A Case: TO264 Polarisation: unipolar On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 694W Kind of channel: enhancement Gate charge: 500nC Features of semiconductor devices: super junction coolmos Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT |
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| IXKK85N60C |
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CoolMOS Power MOSFET N-CH 600V 85A 0.036 Ohm TO-264 Транзистори
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| IXKK85N60C |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 85 Amps 600V 36 Rds
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| IXKK85N60C |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Case: TO264
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 500nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Case: TO264
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 500nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
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