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IXKR40N60C

IXKR40N60C IXYS


media-3321413.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET 40 Amps 600V
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Technische Details IXKR40N60C IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXKR40N60C
Produktcode: 178634
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkr40n60c_datasheet.pdf.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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IXKR40N60C IXKR40N60C Hersteller : Littelfuse osfets_n-channel_super_junction_ixkr40n60c_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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IXKR40N60C IXKR40N60C Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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IXKR40N60C IXKR40N60C Hersteller : IXYS IXKR40N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKR40N60C IXKR40N60C Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkr40n60c_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
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IXKR40N60C IXKR40N60C Hersteller : IXYS IXKR40N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
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