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IXKT70N60C5 IXYS


Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
Packaging: Bulk
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Technische Details IXKT70N60C5 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 66A, Power dissipation: 540W, Case: TO268, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 150nC, Features of semiconductor devices: super junction coolmos.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKT70N60C5_Datasheet.PDF MOSFETs 70 Amps 600V
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IXKT70N60C5 IXKT70N60C5 IXYS IXKT70N60C5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
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IXKT70N60C5 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKT70N60C5_Datasheet.PDF
IXKT70N60C5
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MOSFETs 70 Amps 600V
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
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