IXT-1-1N100S1-TR IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
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Technische Details IXT-1-1N100S1-TR IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | MOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXT-1-1N100S1-TR |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH