IXTA08N100D2HV-TRL
Hersteller:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-263HV Транзистори
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Technische Details IXTA08N100D2HV-TRL
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTA08N100D2HV-TRL | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTA08N100D2HV-TRL | IXYS |
MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IXTA08N100D2HV-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; D2PAK,TO263AB Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.6nC |
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IXTA08N100D2HV-TRL | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R |
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IXTA08N100D2HV TRL | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R |
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| IXTA08N100D2HV-TRL |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
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| IXTA08N100D2HV-TRL |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH
MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH
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| IXTA08N100D2HV-TRL |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
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| IXTA08N100D2HV-TRL |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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| IXTA08N100D2HV TRL |
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Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
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