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IXTA08N100P

IXTA08N100P IXYS

DS99865D(IXTY-TA-TP08N100P).pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
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Technische Details IXTA08N100P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO263, On-state resistance: 20Ω, Reverse recovery time: 750ns, Power dissipation: 42W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 0.8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA08N100P IXTA08N100P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_08N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
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IXTA08N100P IXTA08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
On-state resistance: 20Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
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IXTA08N100P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_08N100P_Datasheet.PDF
IXTA08N100P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
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IXTA08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTA08N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
On-state resistance: 20Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
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