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Technische Details IXTA110N055T2-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 110A; 180W; D2PAK,TO263; 38ns, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 110A, Power dissipation: 180W, Case: D2PAK; TO263, On-state resistance: 6.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 57nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 38ns, Application: automotive industry, Gate-source voltage: 20V.
Weitere Produktangebote IXTA110N055T2-TRL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTA110N055T2-TRL | IXYS |
MOSFETs IXTA110N055T2 TRL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTA110N055T2-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 55V; 110A; 180W; D2PAK,TO263; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 38ns Application: automotive industry Gate-source voltage: 20V |
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| IXTA110N055T2-TRL |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs IXTA110N055T2 TRL
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| IXTA110N055T2-TRL |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 110A; 180W; D2PAK,TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 110A; 180W; D2PAK,TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Application: automotive industry
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