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IXTA120P065T

IXTA120P065T Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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22+8.03 EUR
25+7.58 EUR
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Technische Details IXTA120P065T Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.16 EUR
13+6.76 EUR
50+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IXTA120P065T IXTA120P065T Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.36 EUR
50+9.4 EUR
100+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IXTA120P065T IXTA120P065T LITTELFUSE LFSI-S-A0007925045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 91 Stücke:
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16+15.84 EUR
19+12.53 EUR
23+9.53 EUR
50+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_120P065T_Datasheet.PDF MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
auf Bestellung 6456 Stücke:
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1+16.01 EUR
10+9.42 EUR
100+8.68 EUR
500+7.83 EUR
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IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.49 EUR
50+9.59 EUR
100+8.83 EUR
500+7.51 EUR
1000+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA120P065T IXTA120P065T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
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IXTA120P065T IXTA120P065T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA120P065T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
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13+6.76 EUR
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IXTA120P065T
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+12.36 EUR
50+9.4 EUR
100+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IXTA120P065T LFSI-S-A0007925045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA120P065T
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.84 EUR
19+12.53 EUR
23+9.53 EUR
50+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IXTA120P065T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_120P065T_Datasheet.PDF
IXTA120P065T
Hersteller: IXYS
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
auf Bestellung 6456 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+16.01 EUR
10+9.42 EUR
100+8.68 EUR
500+7.83 EUR
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IXTA120P065T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1785 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+17.49 EUR
50+9.59 EUR
100+8.83 EUR
500+7.51 EUR
1000+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA120P065T media.pdf
IXTA120P065T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IXTA120P065T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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