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IXTA15P15T

IXTA15P15T Littelfuse

fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_15p15t_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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Technische Details IXTA15P15T Littelfuse

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -150V, Drain current: -15A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 0.24Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 48nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 116ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA15P15T IXTA15P15T Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA15P15T IXTA15P15T Hersteller : IXYS DS100292A(IXTA-TP-TY15P15T).pdf Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
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IXTA15P15T Hersteller : IXYS DS100292b(IXTY-TA-TP15P15T)-1224166.pdf MOSFET TenchP Power MOSFET
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IXTA15P15T IXTA15P15T Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
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