| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.46 EUR |
| 10+ | 4.65 EUR |
| 100+ | 3.83 EUR |
| 500+ | 3.45 EUR |
| 1000+ | 3.28 EUR |
| 2500+ | 3.2 EUR |
| 5000+ | 3.17 EUR |
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Technische Details IXTA28P065T IXYS
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -65V, Drain current: -28A, Power dissipation: 83W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 31ns.
Weitere Produktangebote IXTA28P065T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IXTA28P065T | IXYS |
 Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263 |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTA28P065T | IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -28A Power dissipation: 83W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 31ns |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTA28P065T |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| IXTA28P065T |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)