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IXTA2N100P

IXTA2N100P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895 Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
25+2.92 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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Technische Details IXTA2N100P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, Power dissipation: 86W, Case: TO263, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 800ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA2N100P IXTA2N100P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
auf Bestellung 293 Stücke:
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IXTA2N100P IXTA2N100P Hersteller : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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