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IXTA2N100P

IXTA2N100P IXYS

IXTA(P,Y)2N100P.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
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Technische Details IXTA2N100P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, Power dissipation: 86W, Case: TO263, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 800ns, Features of semiconductor devices: standard power mosfet.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA2N100P IXTA2N100P IXYS DS99817C(IXTY-TA-TP2N100P).pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
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IXTA2N100P IXTA2N100P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_2N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
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