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IXTA32P05T

IXTA32P05T IXYS

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Hersteller: IXYS
MOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds
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Technische Details IXTA32P05T IXYS

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO263, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -50V, Drain current: -32A, Power dissipation: 83W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 39mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 26ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA32P05T IXTA32P05T Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA32P05T IXTA32P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-32p05t-datasheet?assetguid=fa53f3f7-709e-4044-816c-ad0434045c15 Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
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IXTA32P05T IXTA32P05T IXYS IXT_32P05T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 26ns
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IXTA32P05T
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA32P05T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
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IXTA32P05T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 26ns
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