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Technische Details IXTA34N65X2-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 34A; 540W; D2PAK,TO263; 390ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: X2-Class, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 34A, Power dissipation: 540W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: 30V, On-state resistance: 96mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 390ns, Gate charge: 54nC.
Weitere Produktangebote IXTA34N65X2-TRL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTA34N65X2-TRL | IXYS |
MOSFETs IXTA34N65X2 TRL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTA34N65X2-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 34A; 540W; D2PAK,TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Gate charge: 54nC |
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| IXTA34N65X2-TRL |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs IXTA34N65X2 TRL
MOSFETs IXTA34N65X2 TRL
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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| IXTA34N65X2-TRL |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 34A; 540W; D2PAK,TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 54nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 34A; 540W; D2PAK,TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 54nC
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