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IXTA3N100P-TRL

IXTA3N100P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100p-datasheet?assetguid=ec56a47a-d10f-43fa-8e9e-e6b982b889df
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
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Technische Details IXTA3N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 820ns, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 3A, Power dissipation: 125W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 4.8Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 36nC, Reverse recovery time: 820ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA3N100P-TRL IXTA3N100P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_3N100P_Datasheet.PDF MOSFETs IXTA3N100P TRL
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IXTA3N100P-TRL IXTA3N100P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100p-datasheet?assetguid=ec56a47a-d10f-43fa-8e9e-e6b982b889df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 820ns
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IXTA3N100P-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_3N100P_Datasheet.PDF
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Hersteller: IXYS
MOSFETs IXTA3N100P TRL
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IXTA3N100P-TRL
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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