| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.6 EUR |
| 10+ | 3.88 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTA60N10T-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 60A; 176W; D2PAK,TO263; 59ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: N, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 60A, Power dissipation: 176W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 18mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 49nC, Application: automotive industry, Reverse recovery time: 59ns.
Weitere Produktangebote IXTA60N10T-TRL nach Preis ab 3.57 EUR bis 7.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA60N10T-TRL | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263 |
auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IXTA60N10T-TRL |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.77 EUR |
| 10+ | 5.09 EUR |
| 50+ | 3.94 EUR |
| 100+ | 3.57 EUR |