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Technische Details IXTA90N055T2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 90A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, On-state resistance: 8.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 42nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 37ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXTA90N055T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTA90N055T2 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IXTA90N055T2 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: TO263 On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 37ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA90N055T2 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
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IXTA90N055T2 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: TO263 On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 37ns |
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