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IXTA96P085T Littelfuse


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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Technische Details IXTA96P085T Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 298W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA96P085T IXTA96P085T Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt96p085tdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA96P085T IXTA96P085T Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt96p085tdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA96P085T IXTA96P085T Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt96p085tdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA96P085T IXTA96P085T Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt96p085tdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_96P085T_Datasheet.PDF MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
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IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
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10+11.48 EUR
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IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
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16+15.46 EUR
19+11.57 EUR
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250+8.52 EUR
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IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS IXTA96P085T-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
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Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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50+7.45 EUR
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 332 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
21+8.81 EUR
26+6.7 EUR
100+6.12 EUR
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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21+8.81 EUR
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Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 300 Stücke:
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100+8.4 EUR
250+7.64 EUR
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IXTA96P085T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_96P085T_Datasheet.PDF
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MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
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10+9.03 EUR
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IXTA96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
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500+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA96P085T LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
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AnzahlPrivatkunde
13+19.79 EUR
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Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
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