Produkte > LITTELFUSE > IXTH10N100D2
IXTH10N100D2

IXTH10N100D2 Littelfuse

media.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+30.81 EUR
10+28.86 EUR
25+19.15 EUR
100+17.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXTH10N100D2 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote IXTH10N100D2 nach Preis ab 19.48 EUR bis 45.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+31.49 EUR
10+29.96 EUR
25+20.22 EUR
100+19.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.35 EUR
10+33.74 EUR
50+31.17 EUR
100+28.57 EUR
250+26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_10N100_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.83 EUR
10+29.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-10n100-datasheet?assetguid=5e358144-35f5-4d3b-b405-1eaa211abc28 Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.8 EUR
30+29.18 EUR
120+25.54 EUR
510+25.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 media.pdf
IXTH10N100D2
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+31.49 EUR
10+29.96 EUR
25+20.22 EUR
100+19.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 LFSI-S-A0007909491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH10N100D2
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+39.35 EUR
10+33.74 EUR
50+31.17 EUR
100+28.57 EUR
250+26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_10N100_Datasheet.PDF
IXTH10N100D2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+42.83 EUR
10+29.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-10n100-datasheet?assetguid=5e358144-35f5-4d3b-b405-1eaa211abc28
IXTH10N100D2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+45.8 EUR
30+29.18 EUR
120+25.54 EUR
510+25.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH