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IXTH11P50

IXTH11P50 Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Technische Details IXTH11P50 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH11P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 11 A, 0.75 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTH11P50 IXTH11P50 Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH11P50 IXTH11P50 Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH11P50 IXTH11P50 Ixys Corporation littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_11P50_Datasheet.PDF MOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
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IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS IXTx11P50_Rev2005.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
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IXTH11P50 IXTH11P50 LITTELFUSE 4598148.pdf Description: LITTELFUSE - IXTH11P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 11 A, 0.75 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 11A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
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IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS DS94535L(IXTH-T11P50).pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
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Hersteller: Littelfuse
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MOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
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Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH11P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 11 A, 0.75 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 298 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+32.76 EUR
9+27.01 EUR
10+21.79 EUR
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
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