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Technische Details IXTH120P065T IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -65V, Drain current: -120A, Power dissipation: 298W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 10mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 185nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 53ns, Technology: TrenchP™.
Weitere Produktangebote IXTH120P065T nach Preis ab 8.69 EUR bis 19.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXTH120P065T | Ixys Corporation |
 Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH120P065T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH120P065T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247 |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH120P065T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 53ns Technology: TrenchP™ |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTH120P065T |
|
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 17.23 EUR |
| 16+ | 11.58 EUR |
| 30+ | 10.41 EUR |
| 60+ | 9.97 EUR |
| IXTH120P065T |
|
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 17.4 EUR |
| IXTH120P065T |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.87 EUR |
| 30+ | 11.77 EUR |
| 60+ | 10.81 EUR |
| 120+ | 10 EUR |
| 510+ | 8.69 EUR |
| IXTH120P065T |
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
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