IXTH140P10T IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
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auf Bestellung 4 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 17.88 EUR |
| 510+ | 15.47 EUR |
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Technische Details IXTH140P10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTH140P10T nach Preis ab 17.88 EUR bis 33.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IXTH140P10T | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 568W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 130ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -140A On-state resistance: 10mΩ Gate charge: 400nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH140P10T | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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.jpg "IXTH140P10T") |
IXTH140P10T | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH140P10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 568W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH140P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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