auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 33.32 EUR |
| 10+ | 30.62 EUR |
| 30+ | 22.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTH16N20D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTH16N20D2 nach Preis ab 20.13 EUR bis 35.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH16N20D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTH16N20D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
IXTH16N20D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXTH16N20D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXTH16N20D2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Reverse recovery time: 607ns On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 695W Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IXTH16N20D2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Reverse recovery time: 607ns On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 695W Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A |
Produkt ist nicht verfügbar |