IXTH1N450HV IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
Gate charge: 46nC
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auf Bestellung 28 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IXTH1N450HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTH1N450HV nach Preis ab 43.6 EUR bis 71.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXTH1N450HV | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Drain current: 1A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 On-state resistance: 80Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.75µs Gate charge: 46nC |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH1N450HV | Hersteller : Littelfuse |
Power MOSFET |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH1N450HV | Hersteller : IXYS |
MOSFETs High Voltage Power MOSFET |
auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH1N450HV | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HVPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH1N450HV | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |



