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IXTH20N65X2 IXYS


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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
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Technische Details IXTH20N65X2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 290W, Case: TO247-3, On-state resistance: 0.185Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Reverse recovery time: 0.35µs, Gate charge: 27nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_20N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
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IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
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IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 Littelfuse media.pdf Power MOSFET
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IXTH20N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_20N65X2_Datasheet.PDF
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MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
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Hersteller: Littelfuse
Power MOSFET
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