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Technische Details IXTH20N65X2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 290W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, On-state resistance: 0.185Ω, Reverse recovery time: 0.35µs, Gate charge: 27nC, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote IXTH20N65X2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTH20N65X2 | IXYS |
 MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTH20N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V On-state resistance: 0.185Ω Reverse recovery time: 0.35µs Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar |
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IXTH20N65X2 | Littelfuse |
Power MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTH20N65X2 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
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| IXTH20N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 0.185Ω
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 0.185Ω
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
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| IXTH20N65X2 |
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Hersteller: Littelfuse
Power MOSFET
Power MOSFET
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