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IXTH24N50

IXTH24N50 IXYS

media-3322341.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds
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Technische Details IXTH24N50 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MegaMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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IXTH24N50 IXTH24N50 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MegaMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXTH24N50 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2_n50_datasheet.pdf.pdf MODULE
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IXTH24N50 IXTH24N50 Hersteller : Ixys Corporation _discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2_n50_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH24N50 IXTH24N50 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2_n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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