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IXTH36N50P

IXTH36N50P IXYS

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Hersteller: IXYS
MOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
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Technische Details IXTH36N50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTH36N50P IXTH36N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXTH36N50P IXTH36N50P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH36N50P IXYS-S-A0008598162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH36N50P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXTH36N50P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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