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IXTH76N25T

IXTH76N25T IXYS

media-3320179.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
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Technische Details IXTH76N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

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IXTH76N25T Hersteller : IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTH76N25T THT N channel transistors
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IXTH76N25T IXTH76N25T Hersteller : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_76n25t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
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