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Technische Details IXTH76P10T Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTH76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 298W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Weitere Produktangebote IXTH76P10T nach Preis ab 6.25 EUR bis 23.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IXTH76P10T | Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 1297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH76P10T | IXYS |
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds |
auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH76P10T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH76P10T | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 298W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH76P10T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns Technology: TrenchP™ |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IXTH76P10T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTH76P10T |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 9.91 EUR |
| 20+ | 9.02 EUR |
| 25+ | 8.25 EUR |
| 50+ | 7.98 EUR |
| 100+ | 7.31 EUR |
| 500+ | 6.25 EUR |
| IXTH76P10T |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.11 EUR |
| 10+ | 10.6 EUR |
| 120+ | 10.16 EUR |
| IXTH76P10T |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.87 EUR |
| 30+ | 11.77 EUR |
| 60+ | 10.81 EUR |
| 120+ | 10 EUR |
| 510+ | 8.69 EUR |
| IXTH76P10T |
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: LITTELFUSE - IXTH76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 23.84 EUR |
| 13+ | 19.17 EUR |
| 15+ | 14.95 EUR |
| 50+ | 12.21 EUR |
| 100+ | 11.41 EUR |
| 250+ | 10.63 EUR |
| IXTH76P10T |
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: TrenchP™
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: TrenchP™
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IXTH76P10T |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)