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IXTH8P50

IXTH8P50 IXYS

IXT_8P50.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 400ns
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
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Technische Details IXTH8P50 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH8P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTH8P50 IXTH8P50 Hersteller : IXYS IXT_8P50.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH8P50 IXTH8P50 Hersteller : IXYS media-3321445.pdf MOSFETs -8 Amps -500V 1.2 Rds
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IXTH8P50 IXTH8P50 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH8P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
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IXTH8P50 IXTH8P50 Hersteller : Littelfuse elfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_8p50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH8P50 IXTH8P50 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH8P50 IXTH8P50 Hersteller : IXYS 94534.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
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