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IXTH90P10P

IXTH90P10P Littelfuse

littelfusediscretemosfetspchannelixt90p10pdatasheet.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 234 Stücke:
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Technische Details IXTH90P10P Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 462W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS IXT_90P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Power dissipation: 462W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 144ns
Mounting: THT
auf Bestellung 104 Stücke:
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5+17.68 EUR
6+15.08 EUR
10+13.63 EUR
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IXTH90P10P IXTH90P10P Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.51 EUR
10+20.22 EUR
30+17.27 EUR
120+16.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_90P10P_Datasheet.PDF MOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.5 EUR
10+15.08 EUR
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IXTH90P10P IXTH90P10P Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90p10p-datasheet?assetguid=611756b4-09a2-467d-8210-fa4410afc035 Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 527 Stücke:
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1+24.11 EUR
30+16.02 EUR
120+13.73 EUR
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IXTH90P10P IXTH90P10P LITTELFUSE LFSI-S-A0007907457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 163 Stücke:
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9+28.24 EUR
11+21.84 EUR
14+16.11 EUR
50+15.4 EUR
100+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXTH90P10P IXT_90P10P.pdf
IXTH90P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Power dissipation: 462W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 144ns
Mounting: THT
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5+17.68 EUR
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IXTH90P10P
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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8+22.51 EUR
10+20.22 EUR
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IXTH90P10P
Hersteller: IXYS
MOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
auf Bestellung 1697 Stücke:
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IXTH90P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90p10p-datasheet?assetguid=611756b4-09a2-467d-8210-fa4410afc035
IXTH90P10P
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
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510+13.24 EUR
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IXTH90P10P LFSI-S-A0007907457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH90P10P
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+28.24 EUR
11+21.84 EUR
14+16.11 EUR
50+15.4 EUR
100+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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