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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IXTK110N20L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXTK110N20L2 nach Preis ab 36.68 EUR bis 53.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IXTK110N20L2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 200V 110A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK110N20L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK110N20L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK110N20L2 | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK110N20L2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 960W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK110N20L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK110N20L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXTK110N20L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK110N20L2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 110A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 420ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK110N20L2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 110A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 420ns |
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