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IXTK17N120L

IXTK17N120L Littelfuse


crete_mosfets_n-channel_linear_ixt_17n120l_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Technische Details IXTK17N120L Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1200V 17A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTK17N120L IXTK17N120L Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK17N120L IXTK17N120L Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK17N120L IXTK17N120L Hersteller : IXYS IXTK(X)17N120L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 17A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Reverse recovery time: 1.83µs
Case: TO264
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK17N120L IXTK17N120L Hersteller : IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 17A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
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IXTK17N120L IXTK17N120L Hersteller : IXYS media-3323547.pdf MOSFET 17 Amps 1200V
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IXTK17N120L IXTK17N120L Hersteller : IXYS IXTK(X)17N120L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 17A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Reverse recovery time: 1.83µs
Case: TO264
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
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