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Technische Details IXTN40P50P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 890W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 890W, SVHC: To Be Advised, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.
Weitere Produktangebote IXTN40P50P nach Preis ab 54.3 EUR bis 93.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXTN40P50P | IXYS |
 Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTN40P50P | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 890W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 890W SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal usEccn: EAR99 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTN40P50P |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
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| 1+ | 80.49 EUR |
| 10+ | 60.13 EUR |
| IXTN40P50P |
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 113 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 93.69 EUR |
| 5+ | 75.99 EUR |
| 10+ | 60 EUR |
| 50+ | 57.14 EUR |
| 100+ | 54.3 EUR |