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IXTN40P50P

IXTN40P50P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
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Technische Details IXTN40P50P Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 890W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 890W, SVHC: To Be Advised, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTN40P50P IXTN40P50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTN40P50P_Datasheet.PDF MOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
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IXTN40P50P IXTN40P50P LITTELFUSE littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
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Drain-Source-Spannung Vds: 500V
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Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
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IXTN40P50P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTN40P50P_Datasheet.PDF
IXTN40P50P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
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IXTN40P50P
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
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Verlustleistung Pd: 890W
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
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