IXTN660N04T4 LITTELFUSE
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 71.2 EUR |
| 10+ | 60.96 EUR |
| 30+ | 52.18 EUR |
| 100+ | 48.06 EUR |
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Technische Details IXTN660N04T4 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 660A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchT4 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote IXTN660N04T4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IXTN660N04T4 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTN660N04T4 | IXYS |
MOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTN660N04T4 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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| IXTN660N04T4 |
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Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
MOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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