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IXTN79N20 IXYS


Hersteller: IXYS

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Technische Details IXTN79N20 IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Supplier Device Package: SOT-227B, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTN79N20 IXTN79N20 IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tube
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IXTN79N20 IXTN79N20 IXYS MOSFET Modules 79 Amps 200V
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IXTN79N20
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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