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IXTP02N120P

IXTP02N120P Littelfuse

media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Technische Details IXTP02N120P Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm, SVHC: To Be Advised.

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IXTP02N120P IXTP02N120P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP02N120P IXTP02N120P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_02N120P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V to 1200V Polar Power MOSFET
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IXTP02N120P IXTP02N120P Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
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IXTP02N120P IXTP02N120P Hersteller : LITTELFUSE IXYS-S-A0008595721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
SVHC: To Be Advised
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IXTP02N120P
Produktcode: 161462
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IXTP02N120P IXTP02N120P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CC0EF702F820&compId=IXTP(Y)02N120P.pdf?ci_sign=e633bba2e601c335d99225d6beef7c2a93141ab1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO220AB; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 75Ω
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
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