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IXTP10P50P

IXTP10P50P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.66 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.83 EUR
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Technische Details IXTP10P50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTP10P50P IXTP10P50P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.66 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.83 EUR
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IXTP10P50P IXTP10P50P Hersteller : Ixys Corporation littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+10.39 EUR
50+8.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IXTP10P50P IXTP10P50P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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50+6.92 EUR
100+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXTP10P50P IXTP10P50P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007910737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXTP10P50P IXTP10P50P Hersteller : Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5 Stücke:
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IXTP10P50P IXTP10P50P Hersteller : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 150 Stücke:
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IXTP10P50P IXTP10P50P Hersteller : Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5 Stücke:
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IXTP10P50P IXTP10P50P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_10P50P_Datasheet.PDF MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
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