IXTP34N65X2 Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 11.05 EUR |
| 50+ | 6.41 EUR |
| 100+ | 6.01 EUR |
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Technische Details IXTP34N65X2 Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTP34N65X2 nach Preis ab 6.27 EUR bis 11.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IXTP34N65X2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP34N65X2 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 540W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X2-Class productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP34N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP34N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP34N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP34N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 390ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP34N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 390ns |
Produkt ist nicht verfügbar |