Weitere Produktangebote IXTP36N30P nach Preis ab 4.25 EUR bis 12.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IXTP36N30P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP36N30P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP36N30P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB Reverse recovery time: 250ns Mounting: THT Power dissipation: 300W Gate charge: 70nC Polarisation: unipolar Technology: PolarHT™ Drain current: 36A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 0.11Ω |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP36N30P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP36N30P | IXYS |
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds |
auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP36N30P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP36N30P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTP36N30P |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.25 EUR |
| IXTP36N30P |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.25 EUR |
| IXTP36N30P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.11Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.11Ω
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 6.79 EUR |
| 15+ | 5.78 EUR |
| 16+ | 5.43 EUR |
| 17+ | 5.22 EUR |
| 25+ | 4.95 EUR |
| 30+ | 4.87 EUR |
| 50+ | 4.82 EUR |
| IXTP36N30P |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.04 EUR |
| 41+ | 5.78 EUR |
| 100+ | 5.25 EUR |
| IXTP36N30P |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.88 EUR |
| 10+ | 6.62 EUR |
| 100+ | 5.99 EUR |
| 500+ | 5.59 EUR |
| IXTP36N30P |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.61 EUR |
| 50+ | 6.71 EUR |
| 100+ | 6.14 EUR |
| 500+ | 5.14 EUR |
| 1000+ | 4.82 EUR |
| IXTP36N30P |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






