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IXTP36N30P

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Produktcode: 208172
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP36N30P IXTP36N30P Littelfuse discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
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IXTP36N30P IXTP36N30P Littelfuse discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_36N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
auf Bestellung 4046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+6.58 EUR
100+5.65 EUR
500+5.59 EUR
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IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.35 EUR
10+8.31 EUR
50+6.57 EUR
100+6.01 EUR
500+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS SEMICONDUCTOR 2359843.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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24+9.77 EUR
100+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS IXTA36N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTP36N30P IXTP36N30P Littelfuse discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 25 Stücke:
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IXTP36N30P discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf
IXTP36N30P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP36N30P discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf
IXTP36N30P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
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1+12.09 EUR
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IXTP36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
IXTP36N30P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
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IXTP36N30P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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100+6.72 EUR
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IXTP36N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTP36N30P discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf
IXTP36N30P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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