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IXTP36P15P

IXTP36P15P IXYS

IXT_36P15P.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Reverse recovery time: 228ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 55nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.11Ω
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Technische Details IXTP36P15P IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP36P15P IXTP36P15P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_36P15P_Datasheet.PDF MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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IXTP36P15P IXTP36P15P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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