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IXTP48N20T

IXTP48N20T IXYS

media-3321987.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
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Technische Details IXTP48N20T IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.

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IXTP48N20T IXTP48N20T Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48n20t-datasheet?assetguid=9a6a99bb-4eea-403f-a331-1f20aca73a17 Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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IXTP48N20T Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48n20t-datasheet?assetguid=9a6a99bb-4eea-403f-a331-1f20aca73a17 IXTP48N20T THT N channel transistors
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IXTP48N20T IXTP48N20T Hersteller : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP48N20T IXTP48N20T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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