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IXTP86N20X4

IXTP86N20X4 LITTELFUSE

LFSI-S-A0013462896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP86N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 86 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.31 EUR
15+14.76 EUR
50+14.29 EUR
100+13.2 EUR
250+12.94 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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Technische Details IXTP86N20X4 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTP86N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 86 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP86N20X4 IXTP86N20X4 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXTP86N20X4_Datasheet.pdf MOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.35 EUR
10+14.58 EUR
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IXTP86N20X4 IXTP86N20X4 Littelfuse Inc. IXTP86N20X4_DS.pdf Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO220
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTP86N20X4 Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXTP86N20X4_Datasheet.pdf
IXTP86N20X4
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
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IXTP86N20X4 IXTP86N20X4_DS.pdf
IXTP86N20X4
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO220
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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