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IXTQ36N50P

IXTQ36N50P IXYS

media-3320267.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
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Technische Details IXTQ36N50P IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTQ36N50P IXTQ36N50P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
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IXTQ36N50P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ36N50P THT N channel transistors
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IXTQ36N50P IXTQ36N50P Hersteller : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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IXTQ36N50P IXTQ36N50P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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