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Technische Details IXTQ48N20T IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO3P; 130ns, Case: TO3P, Mounting: THT, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Power dissipation: 250W, Reverse recovery time: 130ns, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 48A, On-state resistance: 50mΩ, Gate charge: 60nC, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXTQ48N20T nach Preis ab 5.51 EUR bis 35.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IXTQ48N20T | Hersteller : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO3P; 130ns Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 250W Reverse recovery time: 130ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 200V Drain current: 48A On-state resistance: 50mΩ Gate charge: 60nC Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTQ48N20T | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO3P; 130ns Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 250W Reverse recovery time: 130ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 200V Drain current: 48A On-state resistance: 50mΩ Gate charge: 60nC Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
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IXTQ48N20T Produktcode: 188074 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXTQ48N20T | Hersteller : IXYS |
MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds |
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