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Technische Details IXTT12N150 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTT12N150 nach Preis ab 16.24 EUR bis 26.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTT12N150 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V |
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IXTT12N150 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
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IXTT12N150 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
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IXTT12N150 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
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| IXTT12N150 | Hersteller : IXYS | IXTT12N150 SMD N channel transistors |
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