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IXTT140N10P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140n10p-datasheet?assetguid=02b85593-79a6-4f7b-9534-ebf8febab82d
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
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Technische Details IXTT140N10P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 120ns, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 140A, Power dissipation: 600W, Case: D3PAK; TO268, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 155nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 120ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTT140N10P-TRL IXTT140N10P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_140N10P_Datasheet.PDF MOSFET Modules IXTT140N10P TRL
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IXTT140N10P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140n10p-datasheet?assetguid=02b85593-79a6-4f7b-9534-ebf8febab82d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
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IXTT140N10P-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_140N10P_Datasheet.PDF
IXTT140N10P-TRL
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules IXTT140N10P TRL
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
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